由于加上了衬偏电压的缘故，就将要引起若干影响器件性能的现象和问题，这就是偏压效应又称为MOSFET的体效应。

这种衬偏电压的作用，实际上就相当于是一个JFET的功能——沟道-衬底的场感应p-n结作为栅极控制着输出电流IDS的大小。所以，对于加有衬偏电压的MOSFET，从工作本质上来说，可看成是由一个MOSFET和一个JFET并联而成的器件，只不过其中JFET的作用在此特别称为MOSFET的体效应而已。这就是说，加上衬偏电压也就相当于引入了一个额外的JFET。

由于极化分子的正负电荷中心不重合，所以在电子的随机运动下，极化分子的极化强度矢量为0，极化强度指的是电偶极矩的矢量和（方向：由负电荷指向正电荷，方向很重要）。

a) 当未加直流偏压，而仅仅加交流激励时，材料中的电子更容易随着外加电场的变化而变化，自由相转更加容易，在较短时间△t内，更大，意味着电位矢量△D更大，