薄膜晶体管（Thin Film Transistor, TFT）与场效应管（Field Effect Transistor, FET）的区别如下：

1. 结构差异：薄膜晶体管是一种特殊结构的晶体管，其中薄膜被用作半导体层，而场效应管可以是薄膜晶体管，也可以是其他结构的晶体管。

2. 制造技术：薄膜晶体管通常通过物理气相沉积（Physical Vapor Deposition, PVD）或化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）等技术制造，而场效应管可以通过多种方法制造，包括薄膜沉积、离子注入等。

3. 电流控制方式：薄膜晶体管的电流主要通过电子的扩散来控制，而场效应管的电流主要通过电场效应来控制。

4. 工作原理：薄膜晶体管的工作原理是通过控制薄膜半导体层中的电子浓度来控制电流流动，而场效应管的工作原理是通过控制沟道中的电子浓度来控制电流流动。

5. 应用领域：薄膜晶体管广泛应用于液晶显示器（LCD）等场合，而场效应管广泛应用于集成电路、功率放大器等领域。总的来说，薄膜晶体管是一种特殊结构的晶体管，其制造技术和工作原理与场效应管有所不同。薄膜晶体管主要应用于液晶显示器等领域，而场效应管则广泛应用于集成电路等领域。

（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

（5）场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

（6）场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

1. 薄膜晶体管与场效应管有一些区别。

2. 薄膜晶体管是一种新型的晶体管结构，其特点是在晶体管的通道区域形成了一层非常薄的薄膜。而场效应管是一种传统的晶体管结构，其通道区域是通过控制栅极电压来改变导电性能。

3. 薄膜晶体管相对于场效应管来说，具有更好的电流控制能力和更低的功耗。薄膜晶体管的薄膜结构可以提供更高的电流驱动能力，同时由于薄膜的存在，电荷在通道中的移动距离更短，导致了更低的功耗。

4. 此外，薄膜晶体管还可以实现更高的集成度和更小的尺寸。由于薄膜晶体管的结构特点，可以实现更高的集成度，将更多的晶体管集成在同一片硅片上，从而实现更复杂的电路功能。同时，薄膜晶体管的尺寸也可以更小，有助于实现微型化和微纳加工技术的发展。

5. 总的来说，薄膜晶体管相对于场效应管来说，在电流控制能力、功耗、集成度和尺寸等方面具有优势，是一种更先进的晶体管结构。