半导体异质结就是在PN结基础上，两边用不同的半导体材料做成，这种结有类似PN结里面的突变结异质结和缓变异质结。

同时由于它两边是不同的半导体材料，它的禁带宽度，亲和能，导带阶，价带阶等等都不同，导致接触的时候，出现势垒尖峰，而且在界面处还存在由于悬挂键产生的界面态，这些都会对异质结的电流产生很大的影响，比如异质结会有高注入比和发射效率等等。在异质结的基础上还出现了调制参杂异质结构，超晶格等等，形成量子阱的能带结构，用于制作HEMT