长江存储器基地是一个3DNAND闪存芯片生产基地。

长江存储国家存储器基地项目由紫光集团，国家集成电路基金，湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。