NCE80H12 是 ON Semiconductor 公司生产的一款 N 通道 MOSET 场效应管。它的主要参数如下：

1. 最大漏极电压（Vdss）：80V

2. 最大漏极电流（Id）：80A

3. 最大功率（Pd）：300W

4. 门源电压范围（Vgs）：-20V到+20V

5. 栅源电压峰值（Vgs (max)）：±30V

6. 静态漏极-源极电阻（Rds(on)）：7mΩ（在Vgs=10V时）

7. 工作温度范围（Tj）：-55℃到+175℃

8. 封装类型：TO-220

NCE80H12 是一款低电阻、高电流和高电压的 N 沟道 MOSFET 场效应管，适合于工业、汽车和通信等领域的高性能开关应用。其低Rds(on)值和高功率使其具有低损耗和高效率的特点，可以在高速切换应用中提供优异的性能。

nce80h12场效应管的参数：120V、功率200w，电流1.7A，频率2KHz。