在PN结中，P区的电位高于N区。

这是因为P区富含正电荷载流子（空穴），而N区富含负电荷载流子（电子）。当PN结形成时，由于电子和空穴的扩散运动，P区的电子会向N区扩散，而N区的空穴会向P区扩散。这导致P区的电位增加，形成正电位，而N区的电位降低，形成负电位。因此，P区的电位高于N区。这种电位差是PN结正向偏置的基础，使得电流能够在PN结中流动。

杂质半导体由于扩散形成pn结，结合部p区聚集的是带负电的电子，n区聚集的是带正电的空穴，所以n区电位高。