pn结的内建电势差计算公式为

第一种形式：

VD 内建电位差

T 绝对温度值

nno n型半导体电子浓度

ppo p型半导体空穴浓度

ni 本征半导体电子浓度

pn结的内建电位差约为0.3～0.7伏左右。

pn结的内建电位差是由两个半导体材料的能带结构差异引起的。在p型半导体中，价带较高，而在n型半导体中，导带较高。当两种材料接触形成pn结时，电子从n型区域流向p型区域，留下正空穴。这个过程导致了电荷分离，形成内建电场。内建电位差的大小取决于材料的特性和掺杂浓度。一般来说，内建电位差在几百mV到几个V之间。