PN结是半导体物理学中的重要概念，它是由P型半导体和N型半导体通过扩散或合金等方法形成的结。

PN结的势垒区是指PN结两侧的电位差，由于P型半导体和N型半导体的载流子浓度不同，因此在PN结处形成一个势垒，使得P型半导体的空穴和N型半导体的电子不能通过势垒区域，只有在外加电压或光照作用下才能越过势垒区，形成电流。PN结的势垒区对于半导体器件的工作原理和性能有着重要的影响，因此对其了解和掌握是半导体物理学研究的重要内容之一。