MOS管（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的功率可以通过以下公式计算：

P = V_D * I_D

其中：

`P` 是MOS管的功率，单位是瓦特（W）；

`V_D` 是MOS管的漏源电压，单位是伏特（V）；

`I_D` 是MOS管的漏极电流，单位是安培（A）。

需要注意的是，在实际应用中，由于MOS管存在开关过程，其功率可能因开关损耗而低于理论计算值。因此，在设计和使用MOS管时，还需要考虑开关损耗和其他实际因素。