方健教授是电子科技大学微电子与固体电子学院的专职教授，拥有丰富的学术经历和研究成果。以下是关于方健教授的一些信息：

教育背景：

1991年7月，四川大学物理系毕业，获得学士学位。

1994年3月，电子科技大学微电子与固体电子学院研究生毕业，获得硕士学位。

2005年5月，电子科技大学微电子与固体电子学院博士研究生毕业，获得工学博士学位。

工作经历：

自1994年4月起，在电子科技大学微电子与固体电子学院从事教学科研工作，现任教授职称。

研究方向：

主要从事新型功率器件和功率集成电路的研发工作。

在国内首批开发成功600,1200V高压功率器件及工艺。

提出了局域寿命控制SOI LIGBT新结构器件。

提出了复合阳极结构的LIGBT新器件。

提出了有N埋层结构的新结构LDMOS等。

建立了局域寿命控制器件的稳态和瞬态模型和LDMOS器件开态击穿模型等。

科研项目：

承担了多项国家级和部级项目。

曾获得国家科技进步二等奖、省部级科技二等奖、省科技进步一等奖等多项奖励。

学术成就：

发表被EI、SCI收录论文40余篇。

获得中国发明专利40余项，美国发明1项。

IEEE会员、国家自然科学基金、国家863项目评审专家。

担任IEEE期刊、半导体学报、电子学报审稿人。

方健教授在功率器件和集成电路领域有深入的研究，并在国内外发表了多篇重要学术论文，获得了多项荣誉和专利，是学术界的活跃成员。